分子束外延系统包括进样腔，准备腔，生长腔。该系统属于真空系统。该系统不仅可用于III-V族，II-VI族化合物外延薄膜及合金半导体的制备，也可以用于构筑原子级纳微结构。生长过程中，可通过RHEED系统对半导体薄膜的生长状况进行实时的观测。

位置 B138 负责人：黄科科

光催化活性评价系统是关于一种微量气体收集及在线检测系统，其包括通过管路依次串联的反应器、第一冷凝回流管、气体混合部、在线取样部及第二冷凝回流管，还包括并接在第二冷凝回流管和在线取样部之间的真空部。光催化活性评价系统为科学实验提供一套完整的密封性能完好的实验设备，该设备可以保证实验中产生的微量气体无泄漏或其他气体影响，并实现了边收集，边测试，尤其是在光解水制氢、光解水制氧、CO2还原等实验中得到了广泛的应用。

地点：B324 负责人：耿智彬

该仪器为聚焦离子束，它可以为TEM高效地制备超薄的、高质量的样品，并且对纳微尺寸的样品进行原位可靠、精准离子束加工，刻蚀，制粉，沉积功能。它可以快速准确运用于纳米领域超高分辨率成像，分析和纳米尺寸制作过程中。聚焦离子束广泛应用于材料微纳尺度加工，器件小型化，功能化制备等领域。

位置 A106 负责人：吴小峰

脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition，PLD），也被称为脉冲激光烧蚀（pulsed laser ablation，PLA），脉冲激光光束聚焦在固体靶面上，激光超强的功率使得靶材快速等离子化，然后溅镀基底上。它为薄膜和多层复合物的生长提供了强有力的方法。

位置 B124 负责人：吴小峰

该仪器为紫外光刻机，一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、旋涂、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。 Photolithography（光刻）是用光来制作一个图形（工艺）； 在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶或将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。

位置 B124 负责人：吴小峰

该系统为等离子系统，它包括石英真空室、真空抽气与真空测量系统、射频电源系统、匹配器，电源范围宽, 0-500 W可调。适用范围宽，如金属非金属的清洗、刻蚀、薄膜衬底的清洗等。混气系统可以将两种（或多种）气体按比例混合，达到实验所需求的气氛，并对流速流量进行控制。

地点：唐楼A314 负责人：黄科科

该仪器由光源，单色器，检测器，样品室，计算机5部分组成。可以测量样品的UV-Vis激发谱和发射谱，NIR激发谱和发射谱，荧光（磷光）寿命瞬态光谱，以及量子产率。该系统适合各类粉末，溶液，薄膜样品的测试。其主要性能指标有（1）光谱仪探测范围：（光电倍增管，190～870nm；Ge探测器，800～1700nm），（2）荧光寿命测量范围：100ps～10s，（3）信噪比：6000：1，（4）液氮系统（77K～320K），（5）使用Glan棱镜，控制激发光路、发射光路的偏振状态，（6）使用450W氙灯和纳秒、微秒脉冲闪光灯做激发光源，（7）F900系统软件：控制硬件，数据采集、分析。

地点：B227 负责人：侯长民

它主要由带针尖的微悬臂、微悬臂运动检测装置、监控其运动的反馈回路、使样品进行扫描的压电陶瓷扫描器件、计算机控制的图像采集、显示及处理系统组成。微悬臂运动可用如隧道电流检测等电学方法或光束偏转法、干涉法等光学方法检测，当针尖与样品充分接近相互之间存在短程相互斥力时，检测该斥力可获得表面原子级分辨图像，一般情况下分辨率也在纳米级水平。AFM测量对样品无特殊要求，不需要对样品进行特殊处理，仅在大气环境下就可测量固体表面、吸附体系等，得到三维表面粗造度等信息。

地点：B324 负责人：黄科科